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2.5V 10-bit 300MSPS 고성능 CMOS D/A 변환기의 설계
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  • 2.5V 10-bit 300MSPS 고성능 CMOS D/A 변환기의 설계
저자명
권대훈,송민규,Kwon. Dae-Hoon,Song. Min-Kyu
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
권/호정보
2002년|39권 7호|pp.57-65 (9 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 CMOS로 구현된 2.5v 10-bit 300MSPS의 D/A 변환기를 제안하였다. 이를 위해 전체구조는 고속동작에 유리한 전류구동 방식의 8+2 분할 타입으로 상위 8-bit은 Thermometer Code 기법을 이용한 전류셀 매트릭스(Current Cell Matrix)로, 하위 2-bit은 이진 가중 전류열(Binary Weighted Current Array)로 설계하였다. 우수한 다이내믹 특성 및 고속 동작을 만족시키기 위해 낮은 글리치 에너지를 갖는 새로운 전류셀과 BDD(Binary Decision Diagram)에 의한 논리합성 기법을 활용한 새로운 역 Thermometer Decoder를 제안하였다. 제안된 DAC는 $0.25{mu}m$, 1-Poly, 5-Metal, n-well CMOS 공정으로 제작되었으며, 유효 칩 면적은 $1.56mm^2$이고, 2.5V의 전원전압에서 84mW의 전력소모를 나타내었다. 모의실험 및 측정을 통해 최대 글리치 에너지는 0.9pVsec@fs=100MHz, 15pVsec@fs=300MHz로 나타났다. 또한 출력 주파수가 1MHz, 샘플링 주파수가 300MHz에서의 INL과 DNL은 약 ${pm}$1.5LSB 이내로, SFDR은 45dB로 측정되었다.

기타언어초록

In this paper, a 2.5V 10-bit 300MSPS CMOS D/A Converter is described. The architecture of the D/A Converter is based on a current steering 8+2 segmented type, which reduces non-linearity error and other secondary effects. In order to achieve a high performance D/A Converter, a novel current cell with a low spurious deglitchnig circuit and a novel inverse thermomeer decoder are proposed. To verify the performance, it is integrated with $0.25{mu}m$ CMOS 1-poly 5-metal technology. The effective chip area is $1.56mm^2$ and power consumption is about 84mW at 2.5V power supply. The simulation and experimental results show that the glitch energy is 0.9pVsec at fs=100MHz, 15pVsec at fs=300MHz in worst case, respectively. Further, both of INL and DNL are within ${pm}$1.5LSB, and the SFDR is about 45dB when sampling, frequency, is 300MHz and output frequency is 1MHz.