스크린 인쇄법을 이용하여 알루미나 기판위에 Ni-Mn-Co-Fe 산화물 후막을 코팅하였다. 후막의 조성과 소성온도를 변화시키며 미세구조와 전기적 특성을 연구하였다. 1150${circ}C$에서 소성한 시편의 경우 모든 구성 원소가 후막에 균일하게 분포되어 있었다. 그러나, 1200${circ}C$와 1225${circ}C$에서 소성한 시편의 경우 Co 원소는 후막에 균일하게 분포되어 있으나 Mn, Ni 및 Fe 원소는 불균일하게 분포되어 있어 Mn 원소의 농도가 큰 영역과 Ni과 Fe 원소의 농도가 큰 영역이 존재하였다. 제조한 모든 후막 NTC 서미스터는 NTC 서미스터의 특성인 로그 저항(log R)과 온도의 역수(1/T) 사이에서 직선적인 관계를 보였다. $(Ni_{1.0}Mn_{1.0}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${le}$x${le}$1.0)와 $(Ni_{0.75}Mn_{1.25}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${le}$x${le}$0.75) 서미스터의 저항, B 정수 및 활성화 에너지는 Fe2O3 함량이 증가함에 따라 증가하였다.
Ni-Mn-Co-Fe oxide thick films were coated on an alumina substrate by screening printing technique. The microstructure and electrical properties of the thick films, as a function of composition and sintering temperature, were investigated. The components of the NTC thick films sintered at 1150${circ}C$ were distributed homogeneously. On the other hand, in the case of the NTC thick films sintered at 1200 and 1250${circ}C$, Co element was distributed homogeneously, but Ni, Mn and Fe elements were distributed heterogeneously, resulting in the formation of Ni rich and Mn-Fe rich regions. All the thick film NTC thermistors prepared showed a linear relationship between log resistance (log R) and the reciprocal of absolute temperature (1/T), indicative of NTC characteristics. At a given NiO and $Mn_3O_4$ content, the resistance, B constant and activation energy of $(Ni_{1.0}Mn_{1.0}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${le}$x${le}$0.75) and $(Ni_{0.75}Mn_{1.25}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${le}$x${le}$0.75) thermistors increased with increasing $Fe_2O_3$ content.
