수소화된 p형 Si(100)표면에 대기중에서 작동하는 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscopy-STM)을 이용하여 미세구조를 제작하였다. 시료의 표면처리는 HF 용액에 1분간 담가 수소화하였다. STM의 탐침은 백금합금을 역학적인 방법으로 45$^{circ}$로 잘라서 사용하였다. STM의 바이어스 전압을 변화시켜가며 미세구조를 제작하였다. 최적의 미세구조 선폭은 30 nm이고 이 때의 바이어스 전압은 1.7V, 터널링 전류는 1nA였다.
Various nanometer-scale structures are fabricated on hydrogen-passivated p-type Si(100) surface by scanning probe microscopy(SPM). The hydrogen-passivation is performed by dipping the samples in diluted 10% HF solution for one min.. Pt alloy wires are used for tips and the tips are made by cutting the wires at 45$^{circ}$ slanted. Various line features are fabricated in various bias voltage. The optimal structure is the line of about 30 nm width on 1.7V bias voltage and 1 nA tunneling current.
