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병렬분기 방법을 이용한 박막 나선 인덕터의 Q 인자 향상
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  • 병렬분기 방법을 이용한 박막 나선 인덕터의 Q 인자 향상
저자명
서동우,민봉기,강진영,백문철
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2003년|16권 1호|pp.83-87 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In the present paper we suggested a parallel branch structure of aluminum spiral inductor for the use of RF integrated circuit at 1∼3 GHz. The inductor was implemented on p-type silicon wafer (5∼15Ω-cm) under the standard CMOS process and it showed a enhanced qualify(Q) factor by more than 10 % with no degradation of inductance. The effect of the structure modification on the Q factor and the inductance was scrutinized comparing with conventional spital inductors