- Liquid Delivery MOCVD 공정을 이용한 강유전체 SBT 박막의 제조기술에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 강동균,백승규,송석표,김병호
- ㆍ 간행물명
- 한국세라믹학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2003년|40권 1호|pp.46-51 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국세라믹학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Liquid delivery MOCVD 공정으로 200nm 정도의 두께를 가진 강유전성 S $r_{0.7}$B $i_{2.1}$T $a_{2.0}$ $O_{9}$ 박막을 Pt/Ti/ $SiO_2$/Si 기판 위에 증착하였다. 본 실험에서는 Sr(TMHD)$_2$.pmdeta, Bi(ph)$_3$ 그리고 Ta( $O^{i}$ Pr)$_4$(TMHD)를 출발 물질로 사용하였으며 n-butyl acetate와 pentamethyldiethylenetriamine를 용매로 사용하였다. 이 실험의 기판 온도와 압력 조건은 각각 57$0^{circ}C$와 5 Torr였다. 78$0^{circ}C$에서 열처리한 SBT 박막의 3V와 5V 인가 전압하에서의 잔류분극값은 각각 7.247 $mu$C/$ extrm{cm}^2$와 8.485 $mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.다.다.
Ferroelectric $Sr_{0.7}Bi_{2.1}Ta_{2.0}O_9$ thin films with 200 nm thicknesses were deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by liquid delivery MOCVD process. In these experiments, $Sr(TMHD)_2{cdot}pmdeta,; Bi(ph)_3$ and $Ta(O^i/Pr)_4(TMHD)$ were used as precursors, which were dissolved in n-butyl acetate and pentamethyldiethylenetriamine. Substrate temperature and reactor pressure of this experiment was $570^{circ}C$and 5 Torr, respectively. The remanent polarization value (2Pr) of SBT thin film with annealed at $780^{circ}C$was$7.247{mu}C/cm^2$and$8.485 {mu}C/cm^2$by applying 3 V and 5 V, respectively.