본 논문에서는 0.25$mu extrm{m}$ 1-poly 5-metal CMOS n-well 공정 을 이 용하여 나선형 인덕터와 블루투스 수신기에 응용할 수 있는 전압제어 발진기를 제안하였다. 제안된 인덕터는다층 메탈을 이용하여 인덕터의 저항 성분을 감소시켜 블루투스 주파수 대역에서 Q값을 향상시켰다 또한 Q값이 향상된 나선형 인덕터를 이용하여 부성저항 전압제어 발진기를 설계하였다. 설계된 부성저항 발진기의 시뮬레이션 결과는 외부의 커패시턴스가 2pF에서 14pF:까지 변화할 때 발진 주파수대역은 2.33GHz에서 2.58GHz이고, 발진 출력은 0dBm 이상이었다.
In this paper, we designed a spiral inductor and voltage controlled oscillator with the negative resistor for the bluetooth receiver by using 0.25$mu extrm{m}$ 1-poly 5-metal CMOS n-well process. The proposed inductor, which applies multi layer metal structure, is a structure that decreases resistance value by increasing he metal thickness. As the resistance value decreases, the quality factor Q has improved. Also, voltage-controlled oscillator is designed applying 1 port negative resistance, and changes its oscillating frequency by varying outside capacitor values. The simulation results show that oscillating frequency is 2.33~2.58GHz changing from 2pF to 14pF, and the oscillator has oscillating power over 0dBm.
