TM 모드에는 영향을 끼치지 않으면서 TE 모드의 위상만을 변조시키는 P-I-i-I-N $GaAs/Al_{0.35}Ga_{0.65}As$ 도파로 위상변조기를 제작하였다. TE 모드에 대해서만 위상변조를 일으키게 하기 위해 P-I-i-I-N 구조를 선택하였다. Fabry-Perot 공명 방법을 이용해서 TE-와 TM 모드에 대해 $lambda=1.55$mu extrm{m}$ 파종에서 각각 측정하였다. TE-편광된 빛에 대한 위상변조 효율은 $Deltaphi=7.9^{circ}/V.mm$ 였다. 이것은 비슷한 구조를 갖는 위상변조기의 변조 효율 보다 거의 2.5배정도 향상된 결과이다. 또한, TM-편광된 빛에 대해 서는 위상변조가 관측되지 않았다.
We fabricated a P-I-i-I-N $GaAs/Al_{0.35}Ga_{0.65}As$waveguide phase modulator with significant phase shift for the TE mode but negligible for the TM mode. We selected the P-I-i-I-N structure to cause a phase shift about the TM mode. The wavelength of $lambda=1.55$mu extrm{m}$ was measured for both the TE and TM modes, respectively. As a result, the measured phase shift efficiency ($Deltaphi$) by using the Fabry-Perot resonance method was $7.9^{circ}/V.mm$ for TE-polarized light. Also, no modulation was observed for TM-polarized light.
