적외선 영상기법을 이용해 반절연 GaAs 기판 내의 EL2 영상에 대한 Photoquenching의 영향을 성장원상태(as-grown)의 샘플과 열처리 샘플을 중심으로 분석하였다. 본 논문에서 Quenching 메커니즘은 샘플에 의존적이고 또한 Quenching율은 샘플의 성장조건과 Quenching 온도에 따라 다르다는 것을 영상적으로 정확히 증명하고 있는데 이 기존의 연구내용과는 다소 상충된 새로운 내용이다.
The effect of photoquenching on infrared image of the EL2 center in semi-insulating(S.I.) GaAs has been studied using near infrared transmission techniques. Particular interest is devoted to as-grown and annealed samples of undoped S.I. GaAs. It is found that the quenching mechanism is different in each sample and also the quenching rate is dependent on the materials and the quenching temperature which is somewhat inconsistent with other existing publications.
