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CVD법으로 제조한 탄소 나노튜브의 전계 전자 방출 특성
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  • CVD법으로 제조한 탄소 나노튜브의 전계 전자 방출 특성
저자명
이임렬,Lee. Rhim-Youl
간행물명
한국재료학회지
권/호정보
2003년|13권 7호|pp.424-428 (5 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The microstructure and field emission properties of carbon nanotubes(CNT) grown by Ni-catalytic chemical vapor deposition(CVD) were investigated. CVD-grown CNT had a high density of curved shape with randomly oriented. It was found that an increase in electric field caused an increase in field emission current and field emission sites of CNT. The maximum field emission current density was measured to be 3.6 ㎃/$ extrm{cm}^2$ at 2.5 V/$mu extrm{m}$, while the brightness of 56 cd/$ extrm{cm}^2$ was observed for the CNT-grown area of 0.8 $ extrm{cm}^2$ from a phosphor screen. Field emission current at constant electric field gradually decreased initially and then stabilized with time.