지난 십년동안 정보산업의 지속적인 고속성장과 맞물려 단파장 광소자와 고출력, 고주파 전자소자의 성능에 대한 사양이 날로 높아 감에 따라 그 어느 때보다 소자 제조 공정에서 고품위 박막 성장이 중요한 위치를 차지하게 되었다. 자연스럽게 연구자들은 이러한 소자에 대한 높은 요구를 충족시키기 위해 기존 발광소재(GaN, 6H-SiC)를 근간으로 소자의 성능을 개선하려는 노력 뿐 아니라 기존 물질의 한계를 극복할 수 있는 새로운 발광소재에 대해 관심을 갖게 되었다.(중략)