- Hot-wall epitaxy법에 의한 CdTe 박막의 성장과 특성
- ㆍ 저자명
- 박효열,조재혁,진광수,황영훈
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2004년|14권 4호|pp.140-144 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막은 (III) 면의 단결정 박막으로 성장되었음을 XRD 측정으로부터 확인하였으며, 박막 성장률은 SEM 측정 사진으로부터 30 $AA/s$임을 알았다. PL 측정으로 얻은 최적성장조건은 원료물질 온도 $500^{circ}C$, 기판 온도 $320^{circ}C$이었다.
CdTe thin films were grown on GaAs (100) substrates by hot wall epitaxy method. From the XRD measurements, it was found that CdTe/GaAs (100) film was grown as a single crystals with the different from growth plane of (III), and growth rate of CdTe thin films was found to be 30 $AA/sec$ by SEM. To acquire a high quality CdTe thin film, the optimum temperature for the source and substrate are found to be $500^{circ}C$ and $320^{circ}C$, respectively, which was checked by PL.