기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
Optimal Placement for FACTS to Improve Static Voltage Stability
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • Optimal Placement for FACTS to Improve Static Voltage Stability
  • Optimal Placement for FACTS to Improve Static Voltage Stability
저자명
Gu. Min-Yan,Baek. Young-Sik
간행물명
KIEE international transactions on power engineering
권/호정보
2004년|3호|pp.141-145 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

FACTS devices, such as the Thyristor Controlled Series Compensator (TCSC) and Static Var Compensators (SVC), can help increase system load margin to improve static voltage stability. In power systems, because of the high cost and the effect value, the optimal placement for FACTS devices must be determined. This paper investigates the use of the series device (SVC) and the parallel device (TCSC) from the point of load margin to increase voltage stability. It considers the sensitivity of load margin to the line reactance and eigenvector of the collapse. The study has been carried out on the IEEE 14 Bus Test System to verify the validity and efficiency of the method. It reveals that incorporation of FACTS devices significantly enhance load margin as well as system stability.