본 논문에서는 IT(In-plane switching foisted nematic) 모드를 기반으로 광 투과 특성을 개선시킨 Pseudo-TN IPS(Pseudo-Twisted Nematic In-Plane Switching) 모드를 새롭게 제안하고 그 광 투과 특성을 분석하였다. PTN-IPS 모드의 경우 개구율을 향상시켜 투과율 면적을 향상시킴으로써 종래의 IT 모드보다 약 25%정도의 높은 광 투과 특성을 나타내었으며, 전압인가에 따른 광 투과율의 변화가 선형적이므로, 광 투과율 조절을 위한 액정의 제어가 IT 모드에 비해 용이함을 확인하였다. 또한, IT 모드에 비해 수평방향 대비비는 약 8%정도 특성이 열화 되었으나 수직 방향에 있어서는 약 20%이상의 특성개선을 확인 할 수 있었다. 이와 더불어, 기존 IT 모드가 가지고 있는 샐 갭에 대한 특성 및 장점을 가지고 있어, 차세대 액정 셀을 개발하는데 유용하게 사용될 것이라 생각된다.
In this paper, we propose Pseudo-TN IPS mde(Pseudo-Twisted Nematic In-Plane Switching mode) based on IT(In-plane switching Twisted nematic) mode that increase contrast ratio from improving optical characteristics and analyze the characteristics of Pseudo-TN IPS uude. Optical transmittance is 25% higher for the PTN-IPS mode than for the IT mode. Because aperture ratio of the PIN-IPS is increased. And the control of Liquid Crystal for adjusting optical transmittance is more easier than IT mode, because optical transmittance variation is linear with applying voltage. Contrast ratio is 8% lower for the PTN-IPS mode than for the IT mode in the horizontal direction. But, Contrast ratio is 20% higher for the PTN-IPS mode than for the IT mode in the vertical direction. It has also cell gap margin and many benefits of IT mode, this may be used very well in the future LC Cell design.
