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고품질 질화물 반도체 박막 성장을 위한 반응로 구조 및 열적 조건에 관한 연구
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  • 고품질 질화물 반도체 박막 성장을 위한 반응로 구조 및 열적 조건에 관한 연구
저자명
김진택,백병준,이철로,박복춘,Kim. Jin-Taek,Baek. Byung-Joon,Lee. Cheul-Ro,Pak. Bock-Choon
간행물명
大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean society of mechanical engineers. B. B
권/호정보
2004년|28권 12호|pp.1632-1639 (8 pages)
발행정보
대한기계학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Numerical calculation has been performed to investigate the transport phenomena in the horizontal reactor which has two different gas inlets for MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition). The full elliptic governing equations for continuity, momentum, energy and chemical species are solved by using the commercial code FLUENT. It is investigated how thermal characteristics, reactor geometry, and the operating parameters affect flow fields, mass fraction of each reactants. The numerical simulations demonstrate that flow rate of each species, inlet geometry of the reactor, and its distance from the susceptor as well as the inclination of upper wall of reactor can be used effectively to optimize reactor performance. The commonly used idealized boundary conditions are also investigated to predict flow phenomena in the actual deposition system.