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STI CMP용 가공종점 검출기술에서 나노 세리아 슬러리 특성이 미치는 영향
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  • STI CMP용 가공종점 검출기술에서 나노 세리아 슬러리 특성이 미치는 영향
  • Effect of the Nano Ceria Slurry Characteristics on end Point Detection Technology for STI CMP
저자명
김성준,강현구,김민석,백운규,박재근
간행물명
반도체및디스플레이장비학회지
권/호정보
2004년|3권 1호|pp.15-20 (6 pages)
발행정보
한국반도체및디스플레이장비학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Through shallow trench isolation (STI) chemical mechanical polishing (CMP) tests, we investigated the dependence of pad surface temperature on the abrasive and additive concentrations in ceria slurry under varying pressure using blanket film wafers. The pad surface temperature after CMP increased with the abrasive concentration and decreased with the additive concentration in slurries for the constant down pressure. A possible mechanism is that the additive adsorbed on the film surfaces during polishing decreases the friction coefficient, hence the pad surface temperature gets lower with increasing the additive concentration. This difference in temperature was more remarkable for the higher concentration of abrasives. In addition, in-situ measurement of spindle motor was carried out during oxide and nitride polishing. The averaged motor current for oxide film was higher than that for nitride film, meaning the higher friction coefficient.