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RF-DC magnetron co-sputtering법에 의한 p-ZnO 박막의 성장
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  • RF-DC magnetron co-sputtering법에 의한 p-ZnO 박막의 성장
저자명
강승민,Kang. Seung Min
간행물명
한국결정성장학회지
권/호정보
2004년|14권 6호|pp.277-280 (4 pages)
발행정보
한국결정성장학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

p형 ZnO 에피 박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF-DC magnet co-sputtering 법으로 성장시켰다. 약 120nm두께의 단결정상 박막을 성공적으로 얻어내었다. p형 ZnO를 만들기 위해서 Al 금속 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링으로 $400^{circ}C$와 $600^{circ}C$에서 ZnO를 rf magnetron sputtering으로 증착하고, 동시에 Al의 doping을 행하였으며, 성장된 박막의 결정성과 광특성에 대하여 고찰하였다.

기타언어초록

p-ZnO films have been grown on (0001) sapphire substrates by RF-DC magnetron co-sputtering. The p-ZnO single crystalline thin films of the thickness about 120 nm were grown successfully. The dopant (Aluminum) was sputtered simultaneously from Al metal target by DC sputtering during rf-magnetron sputtering of ZnO at the substrate temperatures of $400^{circ}C$ and $600^{circ}C$ respectively. The crystallinity and optical properties of as-grown P-ZnO films have been characterized.