- RF 스퍼터링 법에 의한 사파이어 기판상의 ZnO 박막의 성장
- ㆍ 저자명
- 강승민,Kang. Seung Min
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2004년|14권 5호|pp.215-219 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도는 약 0.1~0.2$mu extrm{m}$/hr 였으며, 기판온도가 $600^{circ}C$일 때, 약 400~500nm두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다.
ZnO epitaxial films have been grown on a (0001)sapphire substrate by RF magnetron sputtering. The single crystalline ZnO films were grown at the condition of growth rate of about 0.1~0.2 $mu extrm{m}$/hr and the substrate temperature of $600^{circ}C$. The film thickness was about 400~500 nm. The thin film quality and micro-structure have been evaluated by XRD and TEM observation.