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규석광으로부터 직접 질화법에 의한 질화규소의 합성
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  • 규석광으로부터 직접 질화법에 의한 질화규소의 합성
저자명
손용운,주성민,정헌생,Sohn. Yong-Un,Joo. Sung-Min,Chung. Hun-Saeng
간행물명
한국재료학회지
권/호정보
2004년|14권 5호|pp.358-362 (5 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

$Si_3$$N_4$ ceramics have been identified as one of the promising structural ceramics. This study has been carried out to investigate of the synthetic behaviors of $Si_3$$N_4$ derived from domestic silica-stone by direct nitriding method. The silicon nitridation reaction has been studied in the temperature range of $1300~1550^{circ}C$. Below the $1400^{circ}C$, the nitriding rate was measured to be 16%. For the temperatures higher than the $1400^{circ}C$, $eta$-$Si_3$$N_4$ phase was formed mainly, and the nitriding rate showed above 98%. With the increasing of sample weight of silicon powder, the nitriding rate and $eta$-$Si_3$$N_4$ phase increased at $1400^{circ}C$ for 2 hours. The shape and particle size of$ Si_3$$N_4$ powder synthesized at $1400^{circ}C$ for 2 hours showed the irregular angular-type and 10 $mu extrm{m}$, respectively.