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RF 스퍼터링법에 의한 SCT 박막의 기판온도 영향
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  • RF 스퍼터링법에 의한 SCT 박막의 기판온도 영향
저자명
김진사,오용철,조춘남,이동규,신철기,김충혁,Kim. Jin-Sa,Oh. Yong-Cheol,Cho. Choon-Nam,Lee. Dong-Gyu,Shin. Cheol-Gi,Kim. Chung-Hyeok
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2004년|53권 10호|pp.505-509 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The (Sr0.9Ca0.1)TiO₃(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/SiO₂/Si) using RF sputtering method at various substrate temperature. The optimum conditions of RF power and Ar/O₂ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin film was about 18.75[Å/min]. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of substrate temperature in the temperature range of 100~500[℃]. The dielectric constant of SCT thin films were increased with the increase of substrate temperature, and changed almost linearly in temperature ranges of -80~+90[℃]. The current-voltage characteristics of SCT thin films showed the increasing leakage current as the substrate temperature increases.