기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
Novel Technique for Splay to Bend Transition in a ${pi}$ Cell
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • Novel Technique for Splay to Bend Transition in a ${pi}$ Cell
  • Novel Technique for Splay to Bend Transition in a ${pi}$ Cell
저자명
Jhun. Chul-Gyu,Lee. Jong-Lac,Kang. Sang-Ho,Lee. Seong-Ryong,Kim. Jae-Chang,Yoon. Tae-Hoon
간행물명
Journal of information display
권/호정보
2004년|5권 2호|pp.19-22 (4 pages)
발행정보
한국정보디스플레이학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

A ${pi}$ cell is initially in splay state. Before driving a ${pi}$ cell, transition from splay to bend state is always necessary which originates from nucleation. We propose a novel technique to make bend transition fast and effectively by forming transition cores around the pixels with the technique of multi-domain alignment, where domain boundaries play a crucial role in splay to bend transition. This noble technique enables the splay to bend transition to occur within less than 2 seconds with a low applied voltage.