[ $Si-NaCl-NH_4Cl-NaN_3$ ]계에서 자전연소에 의한 Si의 질화반응기구에 대하여 알아보았다. 희석제로서 첨가된 NaCl은 질화반응 초기에 Si의 용융에 따른 Si의 성장을 억제하여 완전한 질화반응에 도움을 주는 것으로 나타났다. 또한 $NH_{4}Cl$과 $NaN_3$는 반응과정 동안 서로 분해하고 결합하여 생성물로서 NaCl을 형성하였고, 이 과정에서의 발열반응은 시편을 예열함으로써 질화반응에 도움을 주었다. 본 반응계에서 주된 질화반응기구는 액상-기상 반응기구였다. 그리고 ${alpha}-Si_{3}N_4$의 제조를 위한 최적의 펠렛 기공도는 $67-69%$였다.
The nitridation mechanism of Si by SHS at $Si-NaCl-NH_{4}Cl-NaN_3$ system was investigated in this work. It was revealed that NaCl as a diluent was helpful to the perfect nitridation reaction by retarding the growth of Si particle resulted from the melting of Si at the initial stage of the nitridation reaction. And $NH_{4}Cl;and;NaN_3$ formed NaCl through decomposition and combination, and the preheating of pellet was helpful to the nitridation reaction in this process. The main nitridation mechanism of this system was liquid-gas reaction. The optimum porosity of the pellet for the nitridation of ${alpha}-Si_{3}N_4$ was $67-69\%$.
