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The jitter and phase noise caused by 1/f noise of MOSFET in 2.75 GHz CMOS ring oscillator
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  • The jitter and phase noise caused by 1/f noise of MOSFET in 2.75 GHz CMOS ring oscillator
  • The jitter and phase noise caused by 1/f noise of MOSFET in 2.75 GHz CMOS ring oscillator
저자명
박세훈,Park. Se-Hoon
간행물명
센서학회지
권/호정보
2005년|14권 1호|pp.42-46 (5 pages)
발행정보
한국센서학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

It has been known that 1/f noise of MOSFET is generated by superposition of random telelgraph signals (RTS). In this study, jitters and phase noise caused by 1/f noise of MOSFET are analysed with RTS supplied to all of the nodes of the CMOS ring oscillator under investigation. Through the analysis of jitters and jitter ratios with varying values of the amplitude of RTS, it is found that the jitters and the jitter ratios are proportional to the amplitude of RTS. And the analysis of FFT of the output of the ring oscillator reveals that the jitters are closely related to the phase noise of the high order harmonics of the ring oscillator outputs.