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고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석
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  • 고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석
저자명
지희환,한인식,박성형,김용구,이희덕,Ji. Hee-Hwan,Han. In-Sik,Park. Sung-Hyung,Kim. Yong-Goo,Lee. Hi-Deok
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
권/호정보
2005년|42권 5호|pp.47-54 (8 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 Crosstalk에 의한 coupling capacitance의 변화량, ${Delta}Cc$이 기본값인 Cc보다 더 커질 수 있음을 제안한 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 또한 ${Delta}Cc$가 Aggressive line의 위상에 매우 의존함을 보였으며 위상이 같은 경우보다 반대인 경우에 ${Delta}Cc$가 크게 됨을 보였다. 실험 결과의 타당성을 검증을 위해 HSPICE 시뮬레이션을 수행하여 실험치와 잘 맞음을 나타내었다.

기타언어초록

In this paper, novel test patterns and on-chip data are presented to indicate that the variation of coupling capacitance, ${Delta}Cc$ by crosstalk can be larger than static coupling capacitance, Cc. It is also shown that ${Delta}Cc$ is strongly dependent on the phase of aggressive lines. for anti-phase crosstalk ${Delta}Cc$ is always larger than Cc while for in-phase crosstalk ${Delta}Cc$ is smaller than Cc. HSPICE simulation shows good agreement with the measurement data.