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An Ultra Wideband Low Noise Amplifier in 0.18 μm RF CMOS Technology
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  • An Ultra Wideband Low Noise Amplifier in 0.18 μm RF CMOS Technology
  • An Ultra Wideband Low Noise Amplifier in 0.18 μm RF CMOS Technology
저자명
Jung. Ji-Hak,Yun. Tae-Yeoul,Choi. Jae-Hoon
간행물명
Journal of the Korea Electromagnetic Engineering Society
권/호정보
2005년|5권 3호|pp.112-116 (5 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This paper presents a broadband two-stage low noise amplifier(LNA) operating from 3 to 10 GHz, designed with 0.18 ${mu}m$ RF CMOS technology, The cascode feedback topology and broadband matching technique are used to achieve broadband performance and input/output matching characteristics. The proposed UWB LNA results in the low noise figure(NF) of 3.4 dB, input/output return loss($S_{11}/S_{22}$) of lower than -10 dB, and power gain of 14.5 dB with gain flatness of $pm$1 -dB within the required bandwidth. The input-referred third-order intercept point($IIP_3$) and the input-referred 1-dB compression point($P_{ldB}$) are -7 dBm and -17 dBm, respectively.