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Effective Charge Number and Critical Current Density in Eutetic SnPb and Pb Free Flip Chip Solder Bumps
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  • Effective Charge Number and Critical Current Density in Eutetic SnPb and Pb Free Flip Chip Solder Bumps
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저자명
채광표,Chae. Kwang Pyo
간행물명
大韓溶接學會誌
권/호정보
2005년|23권 5호|pp.49-54 (6 pages)
발행정보
대한용접접합학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The effective charge number and the critical current density of electromigration in eutetic SnPb and Pb Free $(SnAg_{3.8}Cu_{0.7)$ flip chip solder bumps are studied. The effective charge number of electromigration in eutectic SnPb solder is obtained as 34 and the critical current density is $j=0.169{ imes}({delta}_{sigma}/{delta}_x});A/cm^2,;where;({delta}_{sigma}/{delta}_x})$ is the electromigration-induced compressive stress gradient along the length of the line. While the effect of electromigration in Pb free solder is much smaller than that in eutectic SnPb, the product of diffusivity and effective charge number $DZ^{ast}$ has been assumed as $6.62{ imes}10^{-11}$. The critical length for electromigration are also discussed.