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완전공핍 광 싸이리스터에서 입출력의 높은 아이솔레이션을 위한 수직 입사형 구조에 관한 연구
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  • 완전공핍 광 싸이리스터에서 입출력의 높은 아이솔레이션을 위한 수직 입사형 구조에 관한 연구
저자명
최운경,김두근,문년태,김도균,최영완,Choi. Woon-Kyung,Kim. Doo-Gun,Moon. Yon-Tae,Kim. Do-Gyun,Choi. Young-Wan
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2005년|54권 1호|pp.30-34 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This study shows the lasing characteristics of InGaAs/InGaAsP multiple-quantum-well waveguide-type depleted optical thyristor (DOT) using the vertical window. The measured switching voltage and current are 3.36 V and 10 ㎂, respectively. The lasing threshold current is 131 mA at 25 ℃. The output peak wavelength is 1570 nm at a bias current of 1.22 Ith and there is not input signal anymore in the output port. The vertical injection depleted optical thyristor - laser diode (VIDOT-LD) using the vertical-injection structure shows very good isolation between input and output signal.