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광중합에 의한 초고온 MEMS용 SiCN 미세구조물 제작과 그 특성
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  • 광중합에 의한 초고온 MEMS용 SiCN 미세구조물 제작과 그 특성
저자명
정귀상,Chung. Gwiy-Sang
간행물명
센서학회지
권/호정보
2006년|15권 2호|pp.148-152 (5 pages)
발행정보
한국센서학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This paper describes the fabrication of SiCN microstructures for super-high temperature MEMS using photopolymerization of pre-ceramic polymer. In this work, polysilazane liquide as a precursor was deposited on Si wafers by spin coating, microstructured and solidificated by UV lithography, and removed from the substrate. The resulting solid polymer microstructures were cross-linked under HIP process and pyrolyzed to form a ceramic of withstanding over $1400^{circ}C$. Finally, the fabricated SiCN microstructures were annealed at $1400^{circ}C$ in a nitrogen atmosphere. Mechanical characteristics of the SiCN microstructure with different fabrication process conditions were evaluated. The elastic modules, hardness and tensile strength of the SiC microstructure implemented under optimum process condtions are 94.5 GPa, 10.5 GPa and 11.7 N/min, respectively. Consequently, the SiCN microstructure proposed in this work is very suitable for super-high temperature MEMS application due to very simple fabrication process and the potential possiblity of sophisticated mulitlayer or 3D microstructures as well as its good mechanical properties.