기존의 버스트 모드 자동전력제어 회로는 저 전력과 단일 칩화에 적합한 효율적인 구조인 반면에 데이터 율(data rate)이 높아짐에 따라 영의 밀도(zero density) 영향을 심하게 받아 에러를 야기하였다. 본 논문에서는 더블 게이트 MOS와 MOS다이오드를 이용하여 주입전류의 불균형을 보상하는 할 수 있는 새로운 구조의 첨두 비교기를 고안하고 이를 자동전력제어 회로에 적용하여 높은 데이터 율에서도 영의 밀도 변화에 강한 버스트 모드 자동전력제어 회로를 제안하였다. 제안한 자동전력제어 회로 내의 첨두 비교기는 높은 데이터 율에서 영의 밀도 변화에도 불구하고 정확한 전류비교 기준점을 견지하며 에러 없이 정상동작 하였다. 또한 제안한 첨두 비교기는 저전력 구조이고 대용량의 커패시터가 사용되지 않아 단일 칩화에도 적합하였다.
The conventional burst-mode APC(Automatic Power Control) circuit had an effective structure that was suitable for a low power consumption and a monolithic chip. However, as data rate was increased, it caused errors due to the effect of the zero density. In this paper, we invented a new structured peak-comparator which could compensate the unbalance of the injected currents using double gated MOS and MOS diode. And we proposed a new burst-mode APC adopting it. The new peak-comparator in the proposed APC was very robust to zero density variations maintaining the correct decision point of the current comparison at high data rate. It was also suitable for a low power consumption and a monolithic chip due to lack of large capacitors.
