플립칩 공정에 Sn 범프를 적용하기 위해 도금전류밀도와 전류모드에 따른 Sn 도금막의 표면 거칠기와 경도를 측정하였다. 전류밀도 $5{sim}50;ma/cm^{2}$에서 전기도금한 Sn 도금막은 $2.0{sim}2.4{mu}m$의 표면 거칠기를 나타내었으며, 직류모드보다 펄스모드로 형성한 Sn 도금막에서 표면 거칠기가 감소하였다 할로겐 램프를 사용하여 $300^{circ}C$에서 3초간 유지하는 표면 열처리에 의해 Sn 도금의 표면 거칠기가 $1;{mu}m$ 정도로 현저히 저하되었다. 전류밀도 $5{sim}50mA/cm^{2}$에서 전기도금한 Sn 도금막은 10 Hv의 경도를 나타내었다. Sn 범프들을 이용하여 플립칩 본딩한 시편들은 $33{sim}17m{Omega}$의 낮은 접속저항을 나타내었다.
Surface roughness and hardness of the electroplated Sn were characterized with variations of electroplating current density and current mode. The Sn electroplated at $5{sim}50mA/cm^{2}$ exhibited the surface roughness of $2.0{sim}2.4{mu}m$. The Sn electroplated with pulse current mode exhibited low surface roughness compared one processed with direct current mode. With surface annealing at $300^{circ}C$ for 3 sec using halogen lamp, surface roughness of the Sn bump was substantially reduced to $1{mu}m$. The Sn electroplated at $5{sim}50mA/cm^{2}$ exhibited the hardness of 10 Hv. Low contact resistances of $33{sim}17m{Omega}$ were obtained for specimens flip-chip bonded with Sn bumps.
