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Ferromagnetic Properties in Diluted Magnetic Semiconductors (Al,Mn)N grown by PEMBE
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  • Ferromagnetic Properties in Diluted Magnetic Semiconductors (Al,Mn)N grown by PEMBE
  • Ferromagnetic Properties in Diluted Magnetic Semiconductors (Al,Mn)N grown by PEMBE
저자명
Ham. Moon-Ho,Myoung. Jae-Min
간행물명
Transactions on electrical and electronic materials
권/호정보
2006년|7권 1호|pp.12-15 (4 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We present the structural, magnetic, and electrical properties in the (Al,Mn)N films with various Mn concentrations grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy. X-ray diffraction analyses reveal that the (Al,Mn)N films have the wurtzite structure without secondary phases. All (Al,Mn)N films showed the ferromagnetic ordering. Particularly, ($Al_{1-x}Mn_{x}$)N film with x = 0.028 exhibited the highest magnetic moment per Mn atom at room temperature. Since all the films exhibit the insulating characteristics, the origin of ferromagnetism in (Al,Mn)N might be attributed to either indirect exchange interaction caused by virtual electron excitations from Mn acceptor level to the valence band within the samples or a percolation of bound magnetic polarons arisen from exchange interaction of localized carriers with magnetic impurities in a low carrier density regime.