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$(Ba,Ca)(TiZr)O_3$ 세라믹을 적용한 적층 칩 커패시터의 전기적 특성
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  • $(Ba,Ca)(TiZr)O_3$ 세라믹을 적용한 적층 칩 커패시터의 전기적 특성
저자명
윤종락,여동훈,이현용,이석원,Yoon. Jung-Rag,Yeo. Dong-Hun,Lee. Heun-Young,Lee. Suk Won
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2006년|55권 1호|pp.1-5 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The effect of A/B moi ratios and sintering temperatures on dielectric properties and microstructure of $(Ba_{0.93}Ca_{0.07})_m(Ti_{0.82}Zr_{0.18})O_3$ ceramics were investigated. The dielectric constant decreased with increasing the A/B mol ratio. However, the dielectric loss is improved. As the dielectric properties of A/B mol ratio with m = 1.009 at sintered temperature $1260^{circ}C$, we obtained dielectric constant 12,800, dielectric loss $3.5\%$ and Y5V temperature characteristics. Highly reliable Ni-MLCCs, 1.6mm$(length){ ime}0.8mm(width){ ime}0.8mm$(height) with capacitance of 1.23 ${mu}F$ and 야ssipation loss of $5.2\%$ were obtained employing dielectric material composed of $(Ba_{0.93}Ca_{0.07})_{1.009}(Ti_{0.82}Zr_{0.18})O_3$ - $MnO_2;0.2wt\%-Y_2O_3;0.18wt\%,;-;SO_2;0.15wt\%-(Ba_{0.4}Ca_{0.6})SiO_3;1wt\%.$