- Si(111)$4{ imes}1$-In 표면에의 수소원자 흡착 연구
- ㆍ 저자명
- 유상용,이근섭,Yu. Sang-Yong,Lee. Geun-Seop
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2006년|15권 2호|pp.139-144 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Scanning tunneling microscopy (STM)를 이용하여 Si(111)$4{ imes}1$-In 표면에의 수소원자 흡착의 영향을 고찰하였다. STM 이미지에서 수소원자는 $4{ imes}1$-In chain의 한 쪽 줄에 있는 두개의 연속된 밝은 부분 사이에 위치한다. 이 H 원자는 두 줄의 zigzag subchain 중의 한 쪽에만 선택적으로 흡착되는 경향성을 보이며 이는 수소원자의 흡착에 표면 밑의 구조가 영향을 미침을 시사한다. 표면에 흡착된 수소원자는 흡착위치 주위의 국소적 변형 뿐 만 아니라 chain 방향으로 멀리 떨어진 곳에도 영향을 미쳐서 STM 이미지에 두 배 주기의 modulation이 나타나게 한다. 수소흡착에 의해 유도되는 두 배 주기의 modulation은 기존에 보고된 Na 원자 흡착에 의해 유도되는 상과 다름을 확인하였다.
Using scanning tunneling microscopy (STM) measurements, we studied the adsorption of hydrogen on the Si(111)$4{ imes}1$-In surface at room temperature. The H atom features are found to be located between the two protrusions in one side of the $4{ imes}1$ chain. The adsorbed H preferentially occupies one of the two zigzag In subchains, suggesting that the adsorption of H is influenced by the subsurface structure. The adsorbed H atom induces not only a localized distortion but also perturbs the distant region and results in a period-doubling modulations in the STM images. This H-induced perturbation differs from the Na-Induced perturbation on the same surface.