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Property of Cobalt Nickel Silicide by Thermal Annealing of Co/Ni Bilayer on a Silicon Substrate
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  • Property of Cobalt Nickel Silicide by Thermal Annealing of Co/Ni Bilayer on a Silicon Substrate
  • Property of Cobalt Nickel Silicide by Thermal Annealing of Co/Ni Bilayer on a Silicon Substrate
저자명
Cheong. Seong-Hwee,Song. Oh-Sung,Kim. Min-Sung
간행물명
Metals and materials international
권/호정보
2006년|12권 2호|pp.189-192 (4 pages)
발행정보
대한금속재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

15 nm-Co/15 nm-Ni/p-Si (100) was thermally annealed using rapid thermal annealing for 40 s at $700{sim}1100^{circ}C$. The annealed bilayer structure developed into the composite $CoNiSi_x$ and the resulting changes in sheet resistance, microstructure, and composition were investigated using a four-point probe, transmission electron microscopy, Auger electron spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. The final thickness of the composite $CoNiSi_x$, was approximately 100 nm and it maintained its sheet resistance below $5{Omega}/sq$ after silicidation annealing at $1100^{circ}C$. The proposed $CoNiSi_x$ silicides may be superior to conventional single phased silicides due to their improved thermal stability and thickness adjustment.