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Novel Low-Power High-dB Range CMOS Pseudo-Exponential Cells
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  • Novel Low-Power High-dB Range CMOS Pseudo-Exponential Cells
  • Novel Low-Power High-dB Range CMOS Pseudo-Exponential Cells
저자명
De La Cruz Blas. Carlos A.,Lopez-Martin. Antonio
간행물명
ETRI journal
권/호정보
2006년|28권 6호|pp.732-738 (7 pages)
발행정보
한국전자통신연구원
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this paper, novel CMOS pseudo-exponential circuits operating in a class-AB mode are presented. The pseudo-exponential approximation employed is based on second order equations. Such terms are derived in a straightforward way from the inherent nonlinear currents of class-AB transconductors. The cells are appropriate to be integrated in portable equipment due to their compactness and very low power consumption. Measurement results from a fabricated prototype in a 0.5 ${mu}m$ technology reveal a range of 45 dB with errors lower than ${pm}0.5$ dB, a power consumption of 100 ${mu}W$, and an area of 0.01 $mm^2$.