SiOC 박막과 같은 유무기 하이브리드 실리카 물질에서의 열처리효과에 의한 결합구조의 변화와 유전상수에 관하여 연구하였다. 유무기 하이브리드 실리카 물질은 BTMSM과 산소의 혼합가스를 이용한 CVD방법에 의하여 증착되었다. 유무기 하이브리드 실리카 물질은 증착조건에 따라 3가지 유형으로 분류되었으며, 유전상수는 MIS 구조에 의하여 조사되었다. XPS 분석에 의하여 C 1s 스펙트라는 O2/BTMSM=1.5의 유량비를 갖는 박막에서 282.9 eV의 organometallic carbon 반응을 보여주는 피크를 나타내었다. organometallic carbon반응의 결과는 안정성 있는 크로스 링크 결합구조를 만들어내며, 하이브리드 특성을 갖는 이 박막에서 열처리 후 유전상수는 가장 낮았다.
In this paper, It was reported the dielectric constant in organic inorganic hybrid silica material such as SiOC film modeling of bond structure by annealing in organic properties. The organic inorganic hybrid silica material were deposited using bis-trimethylsilymethane (BTMSM, [(CH3)3Si]2CH2) and oxygen gas precursor by a plasma chemical vapor deposition (CVD). The organic inorganic hybrid silica material have three types according to the deposition condition. The dielectric constant of the films were performed MIS(Al/Si-O-C film/p-Si) structure. The C 1s spectra in organin inorganic silica materials with the flow rate ratio of O2/BTMSM=1.5 was organometallic carbon with the peak 282.9 eV by XPS. It means that organometallic carbon component is the cross-link bonding structure with good stability. The dielectric constant was the lowest at annealed films with cross-link bonding structure.
