n-GaAs의 시료를 furnace annealing 처리와 laser annealing 처리를 한 후, PR 방법으로 비교 조사하였다. 시료는 Furnace annealing을 5 분간 $400{sim}800^{circ}C$에서 처리한 시료와 ArF excimer laser($30{sim}50;W$)로 5 분간 Laser annealing 처리 한 시료로 준비하였다. Furnace로 annealing을 한 경우에 주 신호(정점)는 1.43 eV에서 관측되었는데 비해 laser로 annealing 한 샘플은 1.42 eV로 0.01 eV가 더 작게 관측되었다. 이는 laser annealing이 furnace annealing 보다 표면과 내면에서 일어나는 열처리 효과가 더 고르게 일어나가 때문이다.
We investigated variation of the photoreflectance(PR) signals for n-GaAs furnace and laser annealed. The samples were annealed by using ArF excimer laser(5 min, $30{sim}50;W$) and furnace(5 min $400{sim}700^{circ}C$). The PR signals(top point) measured from the ArF excimer laser annealed sample showed 1.42 eV and furnace annealed sample showed 1.43 eV. This result is ArF excimer laser annealed sample was uniform annealed surface and inter state.
