본 연구에서는 a-Se 기반 디지털 X-선 영상장치의 저대조도 특성을 평가하기 위하여 contrast-detail 곡선 해석을 수행하였다. 본 실험에 사용된 X-선 영상장치는 픽셀크기가 $139mm{ imes}139mm$이고 유효면적이 $46.7cm{ imes}46.7cm$인 a-Si TFT 기판 위에 500mm 두께의 광전도체가 코팅된 구조를 갖고 있다. Contrast-detail 곡선을 측정하기 위하여 우선 주어진 촬영조건(즉, 40, 50, 60, 70, 80 kVp, and 16 mA.s)에서 상용 팬톰인 CDRAD 2.0을 사용하여 X-선 영상을 획득한 후, 그 영상으로부터 IQFinv 인자를 사용하여 그 특성을 최종 평가하였다. 평가된 IQFinv 값은 주어진 광 플루언스(즉, $1.8{ imes}105$, $5.9{ imes}105$, $11.3{ imes}105$, $19.4{ imes}105$, and $29.4{ imes}105$ photons/$mm^2$)에서 각각 24.4, 35.3, 39.2, 41.5, 43.4으로 광 플루언스가 증가할수록 점진적으로 증가하였으며 이는 광 플루언스가 증가할수록 영상의 가독성이 향상됨을 나타낸다.
In this study, we have performed contrast-detail analysis for an amorphous selenium(a-Se) based digital X-ray imaging system by using a contrast-detail phantom(CDRAD 2.0) to test its low contrast performance. The X-ray imaging system utilizes an 500-mm-thick a-Se semiconductor X-ray absorber coated over an amorphous silicon(a-Si) TFT(thin-film transistor) detector matrix with a $139mm{ imes}139mm$ pixel size and a $46.7cm{ imes}46.7cm$ active area. In the measurement of contrast-detail curves we first acquired X-ray images of the CDRAD 2.0 phantom at given test conditions(i.e., 40, 50, 60, 70, 80 kVp, and 16 mA.s), and then evaluated the contrast-detail characteristics of the imaging system from each phantom image by using an image quality factor called the image-quality-figure-inverse(IQFinv). The IQFinv values for the imaging system gradually improved with the photon fluence, indicating the improvement of image visibility: 24.4, 35.3, 39.2, 41.5, and 43.4 at photon fluences of $1.8{ imes}105$, $5.9{ imes}105$, $11.3{ imes}105$, $19.4{ imes}105$, and $29.4{ imes}105$ photons/$mm^2$, respectively.
