반도체의 고 집적회로를 형성하기 위하여 주로 이용하고 있는 광 리소그래피 기술을 대신하여 사용할 수 있는 차세대 리소그래피 기술로 전자빔 리소그래피 기술에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 초소형 전자칼럼을 이용하여 전자빔 에너지와 조사농도에 따른 pattern 두께의 의존성을 조사하였으며 두께가 100nm인 $SiO_2$ 박막의 patterning을 통하여 $SiO_2$ 박막에 대한 저 에너지 전자빔 리소그래피 공정의 가능성을 입증하였다.
Electron beam lithography has been studied as a next-generation lithography technology instead of photo lithography for ULSI semiconductor devices. In this work, we have made a low-energy electron beam lithography system based on the microcolumn and investigated the dependence of the pattern thickness on the energies and dose concentration of the electron beam. We have also demonstrated the potential of low-energy lithography by achieving 100 nm-$SiO_2$ thin film patterning.
