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Si 칩에 형성된 박막히터를 이용한 Chip-on-Glass 공정
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  • Si 칩에 형성된 박막히터를 이용한 Chip-on-Glass 공정
저자명
정부양,오태성,Jung. Boo-Yang,Oh. Tae-Sung
간행물명
마이크로전자 및 패키징 학회지
권/호정보
2007년|14권 3호|pp.57-64 (8 pages)
발행정보
한국마이크로전자및패키징학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Si 칩에 박막히터를 형성하고 이에 전류를 인가하여 LCD (liquid crystal display) 패널의 유리기판은 가열하지 않으면서 Si 칩만을 선택적으로 가열함으로써 Si 칩을 LCD 패널의 유리기판에 실장 하는 새로운 COG 공정기술을 연구하였다. $5;mm{ imes}5;mm$ 크기의 Si 칩에 마그네트론 스퍼터링법으로 폭 $150;{mu}m$,두께 $0.8;{mu}m$, 전체 길이 12.15 mm의 정방형 Cu 박막히터를 형성하였으며, 이에 0.9A의 전류를 60초 동안 인가하여 Si칩의 Sn-3.5Ag 솔더범프를 리플로우 시킴으로써 Si 칩을 유리기판에 COG 본딩하는 것이 가능하였다.

기타언어초록

New Chip-on-glass technology to attach an Si chip directly on the glass substrate of LCD panel was studied with local heating method of the Si chip by using thin film heater fabricated on the Si chip. Square-shaped Cu thin film heater with the width of $150;{mu}m$, thickness of $0.8;{mu}m$, and total length of 12.15 mm was sputter-deposited on the $5;mm{ imes}5;mm$ Si chip. With applying current of 0.9A for 60 sec to the Cu thin film heater, COG bonding of a Si chip to a glass substrate was successfully accomplished with reflowing the Sn-3.5Ag solder bumps on the Si chip.