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G-PON용 높은 전광변환효율을 갖는 1.31 um 비냉각 DFB-LD
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  • G-PON용 높은 전광변환효율을 갖는 1.31 um 비냉각 DFB-LD
저자명
김정호,피중호,김덕현,박칠성,류한권,구본조,Kim. Jeong-Ho,Pi. Joong-Ho,Kim. Deok-Hyun,Park. Chil-Sung,Ryu. Han-Gwon,Koo. Bon-Jo
간행물명
한국광학회지
권/호정보
2007년|18권 5호|pp.333-336 (4 pages)
발행정보
한국광학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

[ $-40^{circ}C$ ]에서 $85^{circ}C$의 온도에서 냉각장치 없이 동작하는 1.31 um 비냉각 DFB-LD가 유기 금속 화학 증착법에 의해 성장되었다. 높은 전광변환효율을 갖는 레이저의 제작은 스트레인이 인가된 다중양자우물 구조의 최적화를 통해 가능하며, 특히 스트레인의 양, 양자 우물의 두께, 전위장벽의 두께, 양자 우물의 수, 활성층의 폭에 주로 영향을 받는다. 본 연구에서 제작된 DFB-LD는 $25^{circ}C$와 $85^{circ}C$에서 전광변환효율은 0.38[mW/mA]와 0.26[mW/mA], 발진개시전류는 각각 7.1[mA]와 19.8[mA]의 값을 가졌다.

기타언어초록

A Strained Layer Multiquantum-Well (SL-MQW) distributed feedback laser at a wavelength of 1.31 um operating from $-40^{circ}C$ to $85^{circ}C$ without any cooling is grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Lasers with high slope efficiency are achieved through careful optimization of a SL-MQW active layer, especiallyoptimizing the amount of strain, the well thickness, the barrier thickness, the number of wells, and the active layer width. In this paper, we obtain the slope efficiencies of 0.38[mW/mA] and 0.26 [mW/mA] at $25^{circ}C$ and $85^{circ}C$, respectively. Threshold currents are 7.1[mA] and 19.8[mA] at $25^{circ}C$ and $85^{circ}C$, respectively.