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n형 규소 태양전지 emitter형성에 미치는 열처리 변수의 영향
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  • n형 규소 태양전지 emitter형성에 미치는 열처리 변수의 영향
저자명
심지명,김영관,Shim. Ji-Myung,Kim. Young-Kwan
간행물명
한국결정성장학회지
권/호정보
2008년|18권 5호|pp.179-183 (5 pages)
발행정보
한국결정성장학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

n형 실리콘를 이용히여 후면에 Al-emitter형성에 관해 ?x처리조건이 Voc에 어떤 영향을 미치는지 알아보기 위하여 screen printing 방법으로 n-type Si 기판에 Al을 도포하였다. 열처기는 straight profile에서 50 inch/min의 belt speed로 $850^{circ}C$의 peak temperature로 수행한 경우 가장 높은 Voc(585 mV)값을 보였고, 이 온도보다 낮은 경우에 불 균일한 Al-Si alloy 층이 형성되고, 이 온도보다 높은 경우에 Al층으로 Si 원자의 이동이 극심하게 발생되어 Al-Si alloy층이 파괴되는 현상으로 인하여 Voc가 감소함을 보았다.

기타언어초록

Employing screen printing technology, aluminum is applied to the back side of the n-type silicon wafer to see the effect of the heat treatment parameters on the Voc of the solar cell, Heat treatment at $850^{circ}C$ produces the highest Voc among various heat treatment conditions. Heat treatment at the temperatures higher than $850^{circ}C$ results in lower Voc, which is due to the destruction of the Al-Si alloy emitter layer. The destruction of Al-Si layer observed to be caused by the vigorous movement of silicon atoms toward aluminum layer during the heat treatment.