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CMOS Direct-Conversion RF Front-End Design for 5-GHz WLAN
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  • CMOS Direct-Conversion RF Front-End Design for 5-GHz WLAN
  • CMOS Direct-Conversion RF Front-End Design for 5-GHz WLAN
저자명
Oh. Nam-Jin
간행물명
Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
권/호정보
2008년|8권 3호|pp.114-118 (5 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Direct-conversion RF front-end for 5-GHz WLAN is implemented in $0.18-{mu}m$ CMOS technology. The front-end consists of a low noise amplifier, and low flicker noise down-conversion mixers. For the mixer, an inductor is included to resonate out parasitic tail capacitances in the transconductance stage at the operating frequency, thereby improves the flicker noise performance of the mixer, and the overall noise performance of the front-end. The receiver RF front-end has 6.5 dB noise figure, - 13 dBm input IP3, and voltage conversion gain of 20 dB with the power consumption of 30 mW.