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Post-Linearization of Differential CMOS Low Noise Amplifier Using Cross-Coupled FETs
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  • Post-Linearization of Differential CMOS Low Noise Amplifier Using Cross-Coupled FETs
  • Post-Linearization of Differential CMOS Low Noise Amplifier Using Cross-Coupled FETs
저자명
Kim. Tae-Sung,Kim. Seong-Kyun,Park. Jin-Sung,Kim. Byung-Sung
간행물명
Journal of semiconductor technology and science
권/호정보
2008년|8권 4호|pp.283-288 (6 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

A post-linearization technique for the differrential CMOS LNA is presented. The proposed method uses an additional cross-coupled common-source FET pair to cancel out the third-order intermodulation ($IM_3$) current of the main differential amplifier. This technique is applied to enhance the linearity of CMOS LNA using $0.18-{mu}m$ technology. The LNA achieved +10.2 dBm IIP3 with 13.7 dB gain and 1.68 dB NF at 2 GHz consuming 11.8 mA from a 1.8-V supply. It shows IIP3 improvement by 6.6 dB over the conventional cascode LNA without the linearizing circuit.