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Nd:$YVO_4$ 레이저 빔을 이용한 인듐 주석 산화물 직접 묘화 기술
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  • Nd:$YVO_4$ 레이저 빔을 이용한 인듐 주석 산화물 직접 묘화 기술
저자명
김광호,권상직,Kim. Kwang-Ho,Kwon. Sang-Jik
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
권/호정보
2008년|45권 11호|pp.8-12 (5 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 Nd:$YVO_4$ laser를 사용하여 ITO 전극 패턴을 하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 끝 부분에 shoulder와 물결무늬가 형성되었다. shoulder와 물결무늬의 제거를 위해서 laser의 펄스반복율과 스캔 속도에 변화를 주었다. 또한 shoulder와 물결무늬를 갖는 ITO 전극이 PDP에 주는 영향을 알아보기 위해서 방전특성분석을 하였다. 실험결과 40 kHz와 500 mm/s를 기본 조건으로 결정하였다. 본 실험을 통하여 레이저를 이용한 PDP용 ITO 전극막의 직접 패터닝 가능성을 확인할 수 있었다.

기타언어초록

For the reduction of fabrication cost and process time of AC plasma display panel (PDP), indium tin oxide (ITO) layer was patterned as bus electrode using Nd:$YVO_4$ laser. In comparison with the chemically wet etched ITO patterns, laser ablated ITO patterns showed the formation of shoulders and ripple-like structures at the edge of the ITO lines. For the reduction of shoulders and ripple-like structures, pulse repetition rate and scan velocity of laser was changed. In addition, we analyzed a discharge characteristic of PDP test panel to observe how the shoulders and ripple-like structures influence on the PDP. Based on experimental results, the pattern etched at the 500 mm/s and 40 kHz was better than any other condition. From this experiment we could see the possibility of the laser direct patterning for the application to the patterning of ITO in AC-PDP.