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고휘도 녹색 인광 OLED 제작에서 전자수송층 처리
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  • 고휘도 녹색 인광 OLED 제작에서 전자수송층 처리
  • Treatments of Electron Transport Layer in the Fabrication of High Luminous Green Phosphoresent OLED
저자명
장지근,김원기,신상배,신현관,Jang. Ji-Geun,Kim. Won-Ki,Shin. Sang-Baie,Shin. Hyun-Kwan
간행물명
반도체및디스플레이장비학회지
권/호정보
2008년|7권 3호|pp.5-9 (5 pages)
발행정보
한국반도체및디스플레이장비학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

New devices with structure of ITO/2TNATA/NPB/TCTA/CBP:7%Ir(ppy)$_3$/BCP/ETL/LiF/Al were proposed to develop high luminous green phosphorescent organic light emitting diodes and their electroluminescent properties were evaluated. The experimental devices were divided into two kinds according to the material ($Alq_3$ or SFC137) used as an electron transport layer (ETL). Luminous intensities of the devices using $Alq_3$ and SFC137 as electron transport layers were 27,500 cd/$m^2$ and 51,500 cd/$m^2$ at an applied voltage of 9V, respectively. The current efficiencies of both devices were similar as 12.6 cd/A under a luminance of 10,000 cd/$m^2$, while showed slower decay in the device with SFC137 as an ETL according to the further increase of luminance. Current density and luminance of the device with SFC137 as an electron transport layer were higher at the same voltage than those of the device with $Alq_3$ as an ETL.