HVPE 법에 의해 성장시킨 GaN 박막이 기판에 따라서 극성과 비극성 특성의 변화에 대해 연구하였다. A-plane($11{ar{2}}0$), C-plane(0001) and M-Plane($10{ar{1}}0$) 사파이어 기판을 이용하여 $10;{mu}m$ 두께의 GaN 박막을 성장하였다. 광학현미경 및 원자력간 현미경(OM, AFM)을 이용해 표면 구조를 관찰하고, HRXD를 통해 이들은 모두 wurtzite 구조를 갖고 C-plane으로 성장시에는, 극성 특성을, A-plane 및 M-plane 성장 시에는 비극성 특성을 가짐을 확인하였으며, Photoluminescence (PL)측정 결과 3.4 eV에서 발광 피크, 2.2 eV에서 yellow luminescence peak를 확인하였다.
Polar and non-polar GaN was grown by the HVPE on various substrates and influence of polarity has been investigated. The $10;{mu}m$ thickness GaN were grown by HVPE is along A-plane ($11{ar{2}}0$), C-plane (0001) and M-Plane ($10{ar{1}}0$) sapphire substrate respectively. Surface properties were observed by optical microscope and atomic force microscopy. High resolution X-ray diffraction (HR-XRD) confirms the wurtzite structure. The donor band exciton peak located at ${sim}3.4;eV$ and also located yellow luminescence peak at 2.2 eV. The polarity of the GaN film has a strong influence on the morphology and the optical properties.
