- Kr과 Xe 원자기체의 전자수송계수의 해석
- ㆍ 저자명
- 전병훈,Jeon. Byung-Hoon
- ㆍ 간행물명
- 照明·電氣設備學會論文誌
- ㆍ 권/호정보
- 2008년|22권 8호|pp.104-108 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국조명전기설비학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
플라즈마 현상의 정량적 이해를 위해서는 원자나 분자기체가 가지고 있는 정확한 전자충돌단면적과 그 전자수송 계수의 값을 필요로 한다. 본 연구에서 사용하고 있는 Kr과 Xe 원자기체는 PDP와 무전각램프 등 다양한 산업 응용분야에 이용되고 있다. 따라서 2항 근사 볼츠만 해석에 의해 기체압력 1[torr]의 조건에 $0.001{sim}500$[Td]의 광범위한 E/N에서 순수 Kr과 Xe 원자기체의 전자이동속도 W, 종 횡축확산계수 $ND_L$과 $ND_T$, 전리계수 $alpha$/N의 전자수송 계수를 계산하고 물성 해석하였다.
Accurate sets of electron collision cross sections and the electron transport coefficients for atoms and molecules are necessary for quantitative understanding of plasma phenomena Kr and Xe atom are used in many industrial applications, such as in PDP and fluorescent induction lamps(FILs). Therefore, we analysed and calculated the electron transport coefficients, the electron drift velocity W, the longitudinal and transverse diffusion coefficient $ND_L$ and $ND_T$, and the ionization coefficient $alpha$/N in pure Kr and Xe gases over the wide E/N range from 0.001 to 500[Td] at 1[Torr] by two-tenn approximation of the Boltzmann equation.