- SiC 전력반도체 기술 및 제품동향
- ㆍ 저자명
- 서범석,Seo. Beom-Seok
- ㆍ 간행물명
- 전력전자학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2009년|14권 1호|pp.34-39 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 전력전자학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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2001년 1세대 SiC 쇼트키 다이오드의 상용화는 고압 다이오드의 Zero 스위칭손실를 가능하게 하여 기존의 CCM(continuous-current mode) PFC의 효율한계를 극복 시킬수 있었다. 2005년 서지전류와 애벌런치 내량을 향상시킨 2세대 SiC 쇼트키 다이오드는 적용의 범용성을 확대 시켰다. 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.