- 스핀전달토크형 자기저항메모리(STT-MRAM) 기술개발 동향
- ㆍ 저자명
- 김도균,조지웅,노수정,김영근,Kim. D.K.,Cho. J.U.,Noh. S.J.,Kim. Y.K.
- ㆍ 간행물명
- 韓國磁氣學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2009년|19권 1호|pp.22-27 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국자기학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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자기터널접합 기반의 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)의 상용화를 위해서 가장 중요한 이슈는 쓰기 과정(writing operation)에서의 자화반전에 필요한 자화반전전류를 감소시키는 것이다. 본고에서는 나노자기소자 기술의 중요한 분야인 MRAM의 기술발전방향과 특히 스핀전달토크(Spin Transfer Torque, STT)를 이용한 자화반전전류의 저감기술 개발동향을 재료기술, 구조기술 등으로 살펴보았다.
Reduction of the critical current density ($J_c$) for STT magnetization switching is most important issue of magnetic tunnel junctions (MTJs) based MRAM. This report describes how to decrease the Jc and will introduce the recent research progresses of STT-MRAM devices with material engineering and structural improvement, respectively.