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1.3μm 분포 괴환형 레이저 다이오드의 무반사 설계 및 특성
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  • 1.3μm 분포 괴환형 레이저 다이오드의 무반사 설계 및 특성
저자명
기현철,김선훈,홍경진,김회종,Ki. Hyun-Chul,Kim. Seon-Hoon,Hong. Kyung-Jin,Kim. Hwe-Jong
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2009년|22권 3호|pp.248-251 (4 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We have investigated the effect of the quality of 1.3 um distributed feed back laser diode (DFB-LD) on the design of anti-reflection (AR) coatings. Optimal condition of AR coating to prevent internal feedback from both facets and reduce the reflection-induced intensity noise of laser diode was simulated with Macleod Simulator. Coating materials used in this work were ${Ti_3}{O_5}$ and $SiO_2$, of which design thickness were 105 nm and 165 nm, respectively. AR coating films were deposited by Ion-Assisted Deposition system. The electrical and optical properties of 1.3 um laser diode were characterized by Bar tester and Chip tester. Threshold current and slop-efficiency of DFB-LD were 27.56 mA 0.302 W/A. Far field pattern and wavelength of DFB-LD were $22.3^{circ}(Horizontal){ imes}24.4^{circ}$ (Vertical), 1313.8 nm, respectively.